Analysis of Surface Charge Effects and Edge Fringing Capacitance in Planar GaAs and GaN Schottky Barrier Diodes

  1. Orfao, B.
  2. Vasallo, B.G.
  3. Moro-Melgar, D.
  4. Perez, S.
  5. Mateos, J.
  6. Gonzalez, T.
Aldizkaria:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 1557-9646,  0018-9383

Argitalpen urtea: 2020

Alea: 67

Zenbakia: 9

Orrialdeak: 3530-3535

Mota: Artikulua

DOI: 10.1109/TED.2020.3007374 GOOGLE SCHOLAR

Garapen Iraunkorreko Helburuak