Ability of capacitance–voltage transient technique to study spatial distribution and electric field dependence of emission properties of deep levels in semiconductors

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  7. Montserrat, J.
Revista:
Materials Science and Technology (United Kingdom)

ISSN: 1743-2847,  0267-0836

Año de publicación: 1995

Volumen: 11

Número: 10

Páginas: 1074-1078

Tipo: Artículo

DOI: 10.1179/MST.1995.11.10.1074 GOOGLE SCHOLAR

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