Ability of capacitance–voltage transient technique to study spatial distribution and electric field dependence of emission properties of deep levels in semiconductors

  1. Dueñas, S.
  2. Castán, E.
  3. Quintanilla, L.
  4. Enríquez, L.
  5. Barbolla, J.
  6. Lora-Tamayo, E.
  7. Montserrat, J.
Revista:
Materials Science and Technology (United Kingdom)

ISSN: 1743-2847 0267-0836

Año de publicación: 1995

Volumen: 11

Número: 10

Páginas: 1074-1078

Tipo: Artículo

DOI: 10.1179/MST.1995.11.10.1074 GOOGLE SCHOLAR

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