Electrical characterization of He-ion implantation-induced deep levels in p+n InP junctions
- Quintanilla, L.
- Pinacho, R.
- Enríquez, L.
- Peláez, R.
- Dueñas, S.
- Castán, E.
- Bailón, L.
- Barbolla, J.
ISSN: 0021-8979
Datum der Publikation: 1999
Ausgabe: 86
Nummer: 9
Seiten: 4855-4860
Art: Artikel