Electrical characterization of deep levels existing in fully implanted and rapid thermal annealed p+n InP junctions

  1. Quintanilla, L.
  2. Dueñas, S.
  3. Castán, E.
  4. Pinacho, R.
  5. Peláez, R.
  6. Barbolla, J.
Revista:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics

ISSN: 0957-4522

Ano de publicación: 1999

Volume: 10

Número: 5

Páxinas: 413-418

Tipo: Artigo

DOI: 10.1023/A:1008913927240 GOOGLE SCHOLAR