Raman scattering from LO phonon-plasmon coupled modes and Hall-effect in n-type silicon carbide 4H-SiC

  1. Chafai, M.
  2. Jaouhari, A.
  3. Torres, A.
  4. Antón, R.
  5. Martín, E.
  6. Jiménez, J.
  7. Mitchel, W.C.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Any de publicació: 2001

Volum: 90

Número: 10

Pàgines: 5211-5215

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.1410884 GOOGLE SCHOLAR