Raman scattering from LO phonon-plasmon coupled modes and Hall-effect in n-type silicon carbide 4H-SiC

  1. Chafai, M.
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  7. Mitchel, W.C.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 2001

Ausgabe: 90

Nummer: 10

Seiten: 5211-5215

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.1410884 GOOGLE SCHOLAR