Self-doping near the seed/layer interface in conformal GaAs layers grown on Si

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Zeitschrift:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Datum der Publikation: 2001

Ausgabe: 79

Nummer: 9

Seiten: 1270-1272

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.1399008 GOOGLE SCHOLAR