Integrated atomistic process and device simulation of decananometre MOSFETs

  1. Asenov, A.
  2. Jaraiz, M.
  3. Roy, S.
  4. Roy, G.
  5. Adamu-Lema, F.
  6. Brown, A.R.
  7. Moroz, V.
  8. Gafiteanu, R.
Actes:
International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD

ISBN: 4891140275

Any de publicació: 2002

Volum: 2002-January

Pàgines: 87-90

Tipus: Aportació congrés

DOI: 10.1109/SISPAD.2002.1034523 GOOGLE SCHOLAR