Dopant redistribution effects in preamorphized silicon during low temperature annealing

  1. Venezia, V.C.
  2. Duffy, R.
  3. Pelaz, L.
  4. Aboy, M.
  5. Heringa, A.
  6. Griffin, P.B.
  7. Wang, C.C.
  8. Hopstaken, M.J.P.
  9. Tamminga, Y.
  10. Dao, T.
  11. Pawlak, B.J.
  12. Roozeboom, F.
Konferenzberichte:
Technical Digest - International Electron Devices Meeting

ISSN: 0163-1918

Datum der Publikation: 2003

Seiten: 489-492

Art: Konferenz-Beitrag