Atomistic modeling of ion beam induced defects in Si: From point defects to continuous amorphous layers
- Pelaz, L.
- Marqués, L.A.
- López, P.
- Santos, I.
- Aboy, M.
- Barbolla, J.
ISSN: 0272-9172
Datum der Publikation: 2004
Ausgabe: 810
Seiten: 431-436
Art: Konferenz-Beitrag