Dose-rate and temperature dependent statistical damage accumulation model for ion implantation into silicon

  1. Hernández-Mangas, J.M.
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Revista:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

ISSN: 0168-583X

Año de publicación: 2005

Volumen: 228

Número: 1-4 SPEC. ISS.

Páginas: 235-239

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1016/J.NIMB.2004.10.050 GOOGLE SCHOLAR