Design and optimization of nanoCMOS devices using predictive atomistic physics-based process modeling

  1. Colombeau, B.
  2. Mok, K.R.C.
  3. Yeong, S.H.
  4. Bénistant, F.
  5. Indajang, B.
  6. Tan, O.
  7. Yang, B.
  8. Li, Y.
  9. Jaraiz, M.
  10. Cowern, N.E.B.
  11. Chu, S.
Actes:
Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM

ISSN: 0163-1918

ISBN: 9781424404391

Any de publicació: 2006

Tipus: Aportació congrés

DOI: 10.1109/IEDM.2006.346790 GOOGLE SCHOLAR