From point defects to dislocation loops: A comprehensive modelling framework for self-interstitial defects in silicon

  1. Martin-Bragado, I.
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  5. Castrillo, P.
Zeitschrift:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Datum der Publikation: 2008

Ausgabe: 52

Nummer: 9

Seiten: 1430-1436

Art: Artikel

DOI: 10.1016/J.SSE.2008.04.027 GOOGLE SCHOLAR