From point defects to dislocation loops: A comprehensive modelling framework for self-interstitial defects in silicon

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Revista:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Ano de publicación: 2008

Volume: 52

Número: 9

Páxinas: 1430-1436

Tipo: Artigo

DOI: 10.1016/J.SSE.2008.04.027 GOOGLE SCHOLAR