Electrical properties of thin zirconium and hafnium oxide high-k gate dielectrics grown by atomic layer deposition from cyclopentadienyl and ozone precursors
- Dueñas, S.
- Castán, H.
- Garcia, H.
- Gómez, A.
- Bailón, L.
- Kukli, K.
- Niinistö, J.
- Ritala, M.
- Leskelä, M.
ISSN: 1071-1023
Argitalpen urtea: 2009
Alea: 27
Zenbakia: 1
Orrialdeak: 389-393
Mota: Artikulua