Electrical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures with atomic layer deposited Al2 O3, HfO2, and nanolaminates on different silicon substrates

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Revista:
Journal of Vacuum Science and Technology B:Nanotechnology and Microelectronics

ISSN: 2166-2754,  2166-2746

Año de publicación: 2011

Volumen: 29

Número: 1

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1116/1.3532544 GOOGLE SCHOLAR

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