Electrical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures with atomic layer deposited Al2 O3, HfO2, and nanolaminates on different silicon substrates

  1. Campabadal, F.
  2. Rafí, J.M.
  3. Zabala, M.
  4. Beldarrain, O.
  5. Faigón, A.
  6. Castán, H.
  7. Gómez, A.
  8. García, H.
  9. Dueas, S.
Revista:
Journal of Vacuum Science and Technology B:Nanotechnology and Microelectronics

ISSN: 2166-2754 2166-2746

Año de publicación: 2011

Volumen: 29

Número: 1

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1116/1.3532544 GOOGLE SCHOLAR