Analysis of the reduction of tensile stress by post-growth annealing methods in multicrystalline silicon wafers produced by the RST process

  1. Martínez, O.
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  7. Baillis, C.
Revista:
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics

ISSN: 1610-1642 1862-6351

Año de publicación: 2014

Volumen: 11

Número: 11-12

Páginas: 1640-1643

Tipo: Artículo

DOI: 10.1002/PSSC.201400047 GOOGLE SCHOLAR