Variación con la temperatura de la posición interfacial del nivel de Fermi en una estructura MOSestudio por simulación
- Dios Hernández, Agustin de
- Orantes de la Fuente, José Luis
- Castán Lanaspa, Helena
- Bailón Vega, Luis A.
- Barbolla Sánchez, Juan
Editorial: Universidad de Cantabria
ISBN: 84-87412-61-0
Any de publicació: 1991
Pàgines: 93-98
Congrés: Congreso de Diseño de Circuitos Integrados (6. 1991. Santander)
Tipus: Aportació congrés
Resum
Se ha aplicado la simulación para profundizar en el conocimiento de la física de un dispositivo semiconductor. Concretamente, se ha estudiado la evolución que experimenta la posición interfacial del nivel de Fermi en una capacidad MOS al variar la temperatura. Se ha observado que las variaciones son pequeñas, muy inferirores a la variación experimentada por la posición del nivel de Fermi en el volumen. Se ha realizado este estudio para diferentes sustratos, espesores de óxido y tensiones de polarización.