Variación con la temperatura de la posición interfacial del nivel de Fermi en una estructura MOSestudio por simulación
- Dios Hernández, Agustin de
- Orantes de la Fuente, José Luis
- Castán Lanaspa, Helena
- Bailón Vega, Luis A.
- Barbolla Sánchez, Juan
Publisher: Universidad de Cantabria
ISBN: 84-87412-61-0
Year of publication: 1991
Pages: 93-98
Congress: Congreso de Diseño de Circuitos Integrados (6. 1991. Santander)
Type: Conference paper
Abstract
Se ha aplicado la simulación para profundizar en el conocimiento de la física de un dispositivo semiconductor. Concretamente, se ha estudiado la evolución que experimenta la posición interfacial del nivel de Fermi en una capacidad MOS al variar la temperatura. Se ha observado que las variaciones son pequeñas, muy inferirores a la variación experimentada por la posición del nivel de Fermi en el volumen. Se ha realizado este estudio para diferentes sustratos, espesores de óxido y tensiones de polarización.