Effective control of filament efficiency by means of spacer HfAlOx layers and growth temperature in HfO2 based ReRAM devices

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Zeitschrift:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Datum der Publikation: 2021

Ausgabe: 183

Art: Artikel

DOI: 10.1016/J.SSE.2021.108085 GOOGLE SCHOLAR

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