Study of the admittance hysteresis cycles in TiN/Ti/HfO2/W-based RRAM devices
- Dueñas, S.
- Castán, H.
- García, H.
- Miranda, E.
- Gonzalez, M.B.
- Campabadal, F.
Aldizkaria:
Microelectronic Engineering
ISSN: 0167-9317
Argitalpen urtea: 2017
Alea: 178
Orrialdeak: 30-33
Mota: Artikulua