Simulation of cluster evaporation and transient enhanced diffusion in silicon

  1. Rafferty, C.S.
  2. Gilmer, G.H.
  3. Jaraiz, M.
  4. Eaglesham, D.
  5. Gossmann, H.-J.
Zeitschrift:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Datum der Publikation: 1996

Ausgabe: 68

Nummer: 17

Seiten: 2395-2397

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.116145 GOOGLE SCHOLAR

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