Critical issues in ion implantation of silicon below 5 keV: Defects and diffusion

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Revista:
Materials Science and Engineering A

ISSN: 0921-5093

Año de publicación: 1998

Volumen: 253

Número: 1-2

Páginas: 269-274

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/S0921-5093(98)00735-7 GOOGLE SCHOLAR

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