Comprehensive model for ideal reverse leakage current components in Schottky barrier diodes tested in GaN-on-SiC samples

  1. Orfao, B.
  2. Di Gioia, G.
  3. Vasallo, B.G.
  4. Pérez, S.
  5. Mateos, J.
  6. Roelens, Y.
  7. Frayssinet, E.
  8. Cordier, Y.
  9. Zaknoune, M.
  10. González, T.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 1089-7550,  0021-8979

Año de publicación: 2022

Volumen: 132

Número: 4

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/5.0100426 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor

Objetivos de desarrollo sostenible