The role of incomplete interstitial-vacancy recombination on silicon amorphization

  1. Marques, LA
  2. Pelaz, L
  3. Hernandez, J
  4. Barbolla, J
Llibre:
SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES 2001
  1. Tsoukalas, D (coord.)
  2. Tsamis, C (coord.)

ISBN: 3-211-83708-6

Any de publicació: 2001

Pàgines: 26-29

Congrés: International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD 01)

Tipus: Aportació congrés

GOOGLE SCHOLAR
Fuente de los datos: WoS