A thorough investigation of the switching dynamics of TiN/Ti/10 nm-HfO2/W resistive memories

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Zeitschrift:
Materials Science in Semiconductor Processing

ISSN: 1369-8001

Datum der Publikation: 2024

Ausgabe: 169

Art: Artikel

DOI: 10.1016/J.MSSP.2023.107878 GOOGLE SCHOLAR lock_openOpen Access editor

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