Reset transition in HfO2-Based memristors using a constant power signal
- García, H.
- Vinuesa, G.
- González, M.B.
- Campabadal, F.
- Castán, H.
- Dueñas, S.
Revista:
Materials Science in Semiconductor Processing
ISSN: 1369-8001
Año de publicación: 2025
Volumen: 186
Tipo: Artículo