Ingeniería eléctrica, electrónica y telecomunicaciones

1999

1. 2D bipolar Monte Carlo calculation of current fluctuations at the onset of quasisaturation of a Si BJT

   Physica B: Condensed Matter, Vol. 272, Núm. 1-4, pp. 263-266

2. Acelerador electrónico integrado: Aplicación en vehículos para discapacitados

   Mundo electrónico, Núm. 295, pp. 58-61

3. Activation and deactivation of implanted B in Si

   Applied Physics Letters, Vol. 75, Núm. 5, pp. 662-664

4. Agent-based planning and control of a multi-manipulator assembly system

   Proceedings - IEEE International Conference on Robotics and Automation, Vol. 2, pp. 1219-1225

5. An experimental setup for studying the effect of noise on chua's circuit

   IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Fundamental Theory and Applications, Vol. 46, Núm. 4, pp. 517-520

6. B cluster formation and dissolution in Si: A scenario based on atomistic modeling

   Applied Physics Letters, Vol. 74, Núm. 24, pp. 3657-3659

7. Boron pileup and clustering in silicon-on-insulator films

   Applied Physics Letters, Vol. 75, Núm. 8, pp. 1083-1085

8. Calidad de la energía eléctrica en la red de distribución de Iberdrola de Burgos

   Montajes e instalaciones: Revista técnica sobre la construcción e ingeniería de las instalaciones, Año 29, Núm. 334, pp. 111-115

9. Cluster ripening and transient enhanced diffusion in silicon

   Materials Science in Semiconductor Processing, Vol. 2, Núm. 4, pp. 369-376

10. Continuum treatment of spatial correlation in damage annealing

    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, Vol. 153, Núm. 1-4, pp. 172-176

11. Control de instalaciones de refrigeración y su simulación mediante el entorno de programación gráfica LabVIEW

    Montajes e instalaciones: Revista técnica sobre la construcción e ingeniería de las instalaciones, Año 29, Núm. 331, pp. 107-114

12. Cost functions to estimate a posteriori probabilities in multiclass problems

    IEEE Transactions on Neural Networks, Vol. 10, Núm. 3, pp. 645-656

13. Cristales de cuarzo para instrumentación y comunicaciones: un proceso de fabricación muy complejo

    Automática e instrumentación, Núm. 300, pp. 115-118

14. Effect of the T-gate on the performance of recessed HEMTs. A Monte Carlo analysis

    Semiconductor Science and Technology, Vol. 14, Núm. 9, pp. 864-870

15. El transistor bipolar de Heterounión (HBT) de InGaP/GaAs

    Revista española de electrónica, Núm. 541, pp. 74-80

16. El transistor bipolar de heterounión (HBT): funcionamiento y principales características

    Revista española de electrónica, Núm. 540, pp. 74-80

17. Electrical characterization of ECR enhaced deposited silicon nitride bilayers for high quality Al/SiNx/InP MIS structure fabrication

    Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Vol. 10, Núm. 5, pp. 373-377

18. Electrical characterization of He-ion implantation-induced deep levels in p+n InP junctions

    Journal of Applied Physics, Vol. 86, Núm. 9, pp. 4855-4860

19. Electrical characterization of a He ion implantation-induced deep level existing in p+n InP junctions

    Journal of Applied Physics, Vol. 85, Núm. 11, pp. 7978-7980

20. Electrical characterization of deep levels existing in fully implanted and rapid thermal annealed p+n InP junctions

    Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Vol. 10, Núm. 5, pp. 413-418