Electrical characterization of deep levels existing in fully implanted and rapid thermal annealed p+n InP junctions

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Revista:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics

ISSN: 0957-4522

Año de publicación: 1999

Volumen: 10

Número: 5

Páginas: 413-418

Tipo: Artículo

DOI: 10.1023/A:1008913927240 GOOGLE SCHOLAR