Noise and transit time in ungated FET structures

  1. Mateos, J.
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Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Año de publicación: 1997

Volumen: 44

Número: 12

Páginas: 2128-2135

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/16.644625 GOOGLE SCHOLAR