AlGaN/GaN high electron mobility transistors as a voltage-tunable room temperature terahertz sources

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Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Ano de publicación: 2010

Volume: 107

Número: 2

Tipo: Artigo

DOI: 10.1063/1.3291101 GOOGLE SCHOLAR

Obxectivos de Desenvolvemento Sustentable