Monte carlo study of dopant-segregated schottky barrier SoI MOSFETs: Enhancement of the rf performance

  1. Martin-Martinez, M.J.
  2. Couso, C.
  3. Pascual, E.
  4. Rengel, R.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Año de publicación: 2014

Volumen: 61

Número: 12

Páginas: 3955-3961

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/TED.2014.2360468 GOOGLE SCHOLAR