Physical mechanisms of transient enhanced dopant diffusion in ion-implanted silicon
- Stolk, P.A.
- Gossmann, H.-J.
- Eaglesham, D.J.
- Jacobson, D.C.
- Rafferty, C.S.
- Gilmer, G.H.
- Jaraíz, M.
- Poate, J.M.
- Luftman, H.S.
- Haynes, T.E.
ISSN: 0021-8979
Datum der Publikation: 1997
Ausgabe: 81
Nummer: 9
Seiten: 6031-6050
Art: Artikel