Physical mechanisms of transient enhanced dopant diffusion in ion-implanted silicon

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Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 1997

Ausgabe: 81

Nummer: 9

Seiten: 6031-6050

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.364452 GOOGLE SCHOLAR

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