Atomistic modeling of B activation and deactivation for ultra-shallow junction formation

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Konferenzberichte:
International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD

ISBN: 0780378261

Datum der Publikation: 2003

Ausgabe: 2003-January

Seiten: 151-154

Art: Konferenz-Beitrag

DOI: 10.1109/SISPAD.2003.1233659 GOOGLE SCHOLAR