Radiation-enhanced diffusion of Sb and B in silicon during implantation below 400 ° C

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Zeitschrift:
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

ISSN: 1550-235X,  1098-0121

Datum der Publikation: 2004

Ausgabe: 69

Nummer: 12

Art: Artikel

DOI: 10.1103/PHYSREVB.69.125215 GOOGLE SCHOLAR