Atomistic modeling of dopant implantation and annealing in Si: Damage evolution, dopant diffusion and activation

  1. Pelaz, L.
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  3. Aboy, M.
  4. López, P.
  5. Barbolla, J.
Zeitschrift:
Computational Materials Science

ISSN: 0927-0256

Datum der Publikation: 2005

Ausgabe: 33

Nummer: 1-3

Seiten: 92-105

Art: Konferenz-Beitrag

DOI: 10.1016/J.COMMATSCI.2004.12.043 GOOGLE SCHOLAR