Atomistic modeling of dopant implantation and annealing in Si: Damage evolution, dopant diffusion and activation
- Pelaz, L.
- Marqués, L.A.
- Aboy, M.
- López, P.
- Barbolla, J.
ISSN: 0927-0256
Datum der Publikation: 2005
Ausgabe: 33
Nummer: 1-3
Seiten: 92-105
Art: Konferenz-Beitrag