Raman scattering by the E 2h and A 1(LO) phonons of In xGa 1-xN epilayers (0.25 < x < 0.75) grown by molecular beam epitaxy
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Revista:
Journal of Applied Physics
ISSN: 0021-8979
Año de publicación: 2012
Volumen: 111
Número: 6
Tipo: Artículo