Single-parameter model for the post-breakdown conduction characteristics of HoTiOx-based MIM capacitors

  1. Blasco, J.
  2. Castán, H.
  3. García, H.
  4. Dueñas, S.
  5. Suñé, J.
  6. Kemell, M.
  7. Kukli, K.
  8. Ritala, M.
  9. Leskelä, M.
  10. Miranda, E.
Aldizkaria:
Microelectronics Reliability

ISSN: 0026-2714

Argitalpen urtea: 2014

Alea: 54

Zenbakia: 9-10

Orrialdeak: 1707-1711

Mota: Biltzar ekarpena

DOI: 10.1016/J.MICROREL.2014.07.067 GOOGLE SCHOLAR