Single-parameter model for the post-breakdown conduction characteristics of HoTiOx-based MIM capacitors

  1. Blasco, J.
  2. Castán, H.
  3. García, H.
  4. Dueñas, S.
  5. Suñé, J.
  6. Kemell, M.
  7. Kukli, K.
  8. Ritala, M.
  9. Leskelä, M.
  10. Miranda, E.
Revista:
Microelectronics Reliability

ISSN: 0026-2714

Ano de publicación: 2014

Volume: 54

Número: 9-10

Páxinas: 1707-1711

Tipo: Achega congreso

DOI: 10.1016/J.MICROREL.2014.07.067 GOOGLE SCHOLAR