Analysis of the performance of Nb2O5-doped SiO2-based MIM devices for memory and neural computation applications

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Revista:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Año de publicación: 2021

Volumen: 186

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.SSE.2021.108114 GOOGLE SCHOLAR