Effective control of filament efficiency by means of spacer HfAlOx layers and growth temperature in HfO2 based ReRAM devices

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Revista:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Año de publicación: 2021

Volumen: 183

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.SSE.2021.108085 GOOGLE SCHOLAR

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