Experimental observation of negative susceptance in HfO2-based RRAM devices

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Revista:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Año de publicación: 2017

Volumen: 38

Número: 9

Páginas: 1216-1219

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/LED.2017.2723054 GOOGLE SCHOLAR