Electron thermal emission rates of nickel centers in silicon

  1. Jaraiz, M.
  2. Dueñas, S.
  3. Vicente, J.
  4. Bailón, L.
  5. Barbolla, J.
Revista:
Solid State Electronics

ISSN: 0038-1101

Any de publicació: 1986

Volum: 29

Número: 9

Pàgines: 883-884

Tipus: Article

DOI: 10.1016/0038-1101(86)90008-0 GOOGLE SCHOLAR

Objectius de Desenvolupament Sostenible