Electron thermal emission rates of nickel centers in silicon

  1. Jaraiz, M.
  2. Dueñas, S.
  3. Vicente, J.
  4. Bailón, L.
  5. Barbolla, J.
Revue:
Solid State Electronics

ISSN: 0038-1101

Année de publication: 1986

Volumen: 29

Número: 9

Pages: 883-884

Type: Article

DOI: 10.1016/0038-1101(86)90008-0 GOOGLE SCHOLAR

Objectifs de Développement Durable