Electron thermal emission rates of nickel centers in silicon

  1. Jaraiz, M.
  2. Dueñas, S.
  3. Vicente, J.
  4. Bailón, L.
  5. Barbolla, J.
Zeitschrift:
Solid State Electronics

ISSN: 0038-1101

Datum der Publikation: 1986

Ausgabe: 29

Nummer: 9

Seiten: 883-884

Art: Artikel

DOI: 10.1016/0038-1101(86)90008-0 GOOGLE SCHOLAR

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