The role of silicon interstitials in the deactivation and reactivation of high concentration boron profiles

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Zeitschrift:
Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology

ISSN: 0921-5107

Datum der Publikation: 2004

Ausgabe: 114-115

Nummer: SPEC. ISS.

Seiten: 193-197

Art: Konferenz-Beitrag

DOI: 10.1016/J.MSEB.2004.07.056 GOOGLE SCHOLAR