Electrical Characterization of Defects Created by γ-Radiation in HfO2-Based MIS Structures for RRAM Applications

  1. García, H.
  2. González, M.B.
  3. Mallol, M.M.
  4. Castán, H.
  5. Dueñas, S.
  6. Campabadal, F.
  7. Acero, M.C.
  8. Sambuco Salomone, L.
  9. Faigón, A.
Revista:
Journal of Electronic Materials

ISSN: 0361-5235

Any de publicació: 2018

Volum: 47

Número: 9

Pàgines: 5013-5018

Tipus: Aportació congrés

DOI: 10.1007/S11664-018-6257-Y GOOGLE SCHOLAR lock_openUVADOC editor