Electrical Characterization of Defects Created by γ-Radiation in HfO2-Based MIS Structures for RRAM Applications

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Zeitschrift:
Journal of Electronic Materials

ISSN: 0361-5235

Datum der Publikation: 2018

Ausgabe: 47

Nummer: 9

Seiten: 5013-5018

Art: Konferenz-Beitrag

DOI: 10.1007/S11664-018-6257-Y GOOGLE SCHOLAR lock_openUVADOC editor