Characterization of GaAs conformal layers grown by hydride vapour phase epitaxy on Si substrates by microphotoluminescence cathodoluminescence and microRaman

  1. Martínez, O.
  2. Avella, M.
  3. De La Puente, E.
  4. Jiménez, J.
  5. Gérard, B.
  6. Gil-Lafon, E.
Revista:
Journal of Crystal Growth

ISSN: 0022-0248

Any de publicació: 2000

Volum: 210

Número: 1

Pàgines: 198-202

Tipus: Article

DOI: 10.1016/S0022-0248(99)00678-8 GOOGLE SCHOLAR

Objectius de Desenvolupament Sostenible