Characterization of GaAs conformal layers grown by hydride vapour phase epitaxy on Si substrates by microphotoluminescence cathodoluminescence and microRaman

  1. Martínez, O.
  2. Avella, M.
  3. De La Puente, E.
  4. Jiménez, J.
  5. Gérard, B.
  6. Gil-Lafon, E.
Zeitschrift:
Journal of Crystal Growth

ISSN: 0022-0248

Datum der Publikation: 2000

Ausgabe: 210

Nummer: 1

Seiten: 198-202

Art: Artikel

DOI: 10.1016/S0022-0248(99)00678-8 GOOGLE SCHOLAR

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